MOSFET onsemi NTR1P02LT3G, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 808-0060
Nº ref. fabric.:: NTR1P02LT3G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTR1P02LT3G, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Tiras de 200)

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Unidades	Por unidad	Por Cinta*
200 +	0,059 €	11,80 €

*precio indicativo

Código RS:: 808-0060
Nº ref. fabric.:: NTR1P02LT3G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	350 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.25V
Disipación de Potencia Máxima	400 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,1 nC a 4,5 V
Ancho	1.4mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.01mm