Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTR1P02LT3G, VDSS 20 V, ID 1.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 808-0060
Nº ref. fabric.:: NTR1P02LT3G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTR1P02LT3G, VDSS 20 V, ID 1.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tira*
200 - 200	0,091 €	18,20 €
400 - 800	0,084 €	16,80 €
1000 - 1800	0,079 €	15,80 €
2000 +	0,073 €	14,60 €

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Código RS:: 808-0060
Nº ref. fabric.:: NTR1P02LT3G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	350mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±12 V
	Disipación de potencia máxima Pd	400mW
	Tensión directa Vf	-1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.1nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.4 mm
	Altura	1.01mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V
	Disipación de potencia máxima Pd 400mW
	Tensión directa Vf -1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.4 mm
	Altura 1.01mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTR1P02LT3G, VDSS 20 V, ID 1.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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