MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 827-0109
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-429
- Nº ref. fabric.:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,098 € | 24,50 € |
| 500 - 1000 | 0,066 € | 16,50 € |
| 1250 - 2250 | 0,062 € | 15,50 € |
| 2500 - 6000 | 0,059 € | 14,75 € |
| 6250 + | 0,054 € | 13,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 827-0109
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-429
- Nº ref. fabric.:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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