MOSFET Infineon IRFR3707ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 56 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-4057
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3707ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,536 € | 10,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 827-4057
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3707ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 56 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12,5 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.25V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.35V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 50 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 9,6 nC a 4,5 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Ancho | 6.22mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 56 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 12,5 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.25V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.35V | ||
Disipación de Potencia Máxima 50 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 6.73mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 9,6 nC a 4,5 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Ancho 6.22mm | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 2.39mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN