MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP15N80K5, VDSS 800 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 829-1443
- Nº ref. fabric.:
- STP15N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
5,78 €
(exc. IVA)
7,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 25 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,89 € | 5,78 € |
| 10 - 18 | 2,75 € | 5,50 € |
| 20 - 48 | 2,47 € | 4,94 € |
| 50 - 98 | 2,335 € | 4,67 € |
| 100 + | 2,275 € | 4,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 829-1443
- Nº ref. fabric.:
- STP15N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 375mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 375mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines