MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 500 V, ID 30 mA, Reducción, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 829-3250P
- Nº ref. fabric.:
- LND150N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 829-3250P
- Nº ref. fabric.:
- LND150N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | LND150 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1kΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 740mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.33mm | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie LND150 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1kΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 740mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.33mm | ||
Longitud 5.2mm | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones