MOSFET Microchip LND150N8-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-243AA de 4 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 829-3253P
- Nº ref. fabric.:
- LND150N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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Precio unitario (Suministrado en Carretes) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua
0,793 €
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0,96 €
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| unidades | Por unidad |
| 40 - 80 | 0,793 € |
| 100 + | 0,731 € |
Opciones de empaquetado:
- Código RS:
- 829-3253P
- Nº ref. fabric.:
- LND150N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
| Atributo | Valor |
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-243AA |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1 kΩ |
| Modo de Canal | Reducción |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,6 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 4.6mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 2.6mm |
| Altura | 1.6mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |