- Código RS:
- 829-3332
- Nº ref. fabric.:
- DN2535N3-G
- Fabricante:
- Microchip
40 Disponible para entrega en 24/48 horas
10 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,844 €
(exc. IVA)
1,021 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
10 - 20 | 0,844 € | 8,44 € |
30 - 90 | 0,805 € | 8,05 € |
100 + | 0,73 € | 7,30 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 829-3332
- Nº ref. fabric.:
- DN2535N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
El transistor de modo de vaciado de canal N (normalmente encendido) Microchip DN2535 utiliza una estructura DMOS vertical Advanced y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Tiene una tensión de drenador a fuente y drenador a puerta de 350V V y una resistencia de estado de drenador a fuente estática de 1 25Ω.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 350 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 25 Ω |
Modo de Canal | Reducción |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Ancho | 4.19mm |
Longitud | 5.2mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 5.33mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 829-3332
- Nº ref. fabric.:
- DN2535N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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