MOSFET Microchip DN2535N3-G, VDSS 350 V, ID 120 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 829-3332
- Nº ref. fabric.:
- DN2535N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones |
|---|
Tipo de Canal:N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje:120 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente:350 V |
Tipo de Encapsulado:TO-92 |
Tipo de Montaje:Montaje en orificio pasante |
Ver fichas técnicas |
20 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,827 €
(exc. IVA)
1,001 €
(inc.IVA)
| unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 - 20 | 0,827 € | 8,27 € |
| 30 - 90 | 0,789 € | 7,89 € |
| 100 + | 0,715 € | 7,15 € |
| *precio indicativo | ||
Opciones de empaquetado:
- Código RS:
- 829-3332
- Nº ref. fabric.:
- DN2535N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
| Atributo | Valor |
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 350 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 25 Ω |
| Modo de Canal | Reducción |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 5.2mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.19mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 5.33mm |