MOSFET Microchip, Tipo N-Canal DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, Reducción de 4 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
829-3354
Nº ref. fabric.:
DN3535N8-G
Fabricante:
Microchip
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

230mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

350V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20, -20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

2.6mm

Altura

1.6mm

Longitud

4.6mm

Transistores MOSFET de modo de agotamiento de canal N Supertex


La gama Supertex de transistores FET DMOS de modo de agotamiento de canal N de Microchip es adecuada para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Características


Alta impedancia de entrada

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Baja resistencia de conexión

Libre de averías secundarias

Baja fuga de entrada y salida

Aplicaciones típicas


Interruptores normalmente activados

Relés de estado sólido

Convertidores

Amplificadores lineales

Fuentes de corriente constante

Circuitos de alimentación

Telecomunicaciones

Transistores MOSFET, Microchip


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