MOSFET Infineon IRLR7843PBF, VDSS 30 V, ID 161 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
830-3388
Nº ref. fabric.:
IRLR7843PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

161 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

140 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

6.22mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 4,5 V

Longitud

6.73mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Serie

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.39mm

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 161 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRLR7843TRPBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores eléctrico y electrónico, especialmente adecuado para las necesidades de la automoción y la industria. Su tecnología HEXFET garantiza una eficiencia y fiabilidad impresionantes, por lo que es ideal para convertidores buck síncronos de alta frecuencia y convertidores CC-CC aislados. El dispositivo gestiona eficazmente la disipación de energía, mejorando el rendimiento de los sistemas electrónicos.

Características y ventajas


• El RDS(on) extremadamente bajo optimiza la pérdida de potencia y la eficiencia

• La elevada corriente de drenaje continua admite aplicaciones intensivas

• Diseñado para altas temperaturas de funcionamiento para garantizar el rendimiento

• La construcción sin plomo cumple las normas de diseño respetuoso con el medio ambiente

• Una carga de puerta baja mejora el comportamiento de conmutación en los circuitos

Aplicaciones


• Utilizado en convertidores buck síncronos de alta frecuencia

• Utilizados en convertidores CC-CC aislados para sistemas de telecomunicaciones

• Sirve a los sistemas de gestión de energía de automoción

• Adecuado para fuentes de alimentación industriales que requieren una mayor eficiencia

• Ideal para la regulación de potencia en procesadores informáticos

¿Cuáles son las características típicas de rendimiento térmico?


La temperatura máxima de funcionamiento es de +175°C, con una resistencia térmica de 50°C/W de la unión al ambiente, lo que garantiza un rendimiento eficaz en entornos térmicos.

¿Cómo afecta la baja RDS(on) al diseño general del circuito?


Un RDS(on) bajo reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia en condiciones de carga variables, algo crucial para los diseños de alto rendimiento.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes de impulsos?


Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 620 A, lo que garantiza la fiabilidad operativa bajo cargas dinámicas.

¿Qué métodos de montaje son compatibles con este componente?


Como componente de montaje superficial en encapsulado DPAK, es adecuado para procesos de montaje automatizados.

¿Es adecuado para su uso en aplicaciones de automoción?


Sí, sus especificaciones, incluida una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo hacen adecuado para sistemas de alimentación de automóviles.