MOSFET Infineon IRLR7843PBF, VDSS 30 V, ID 161 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 830-3388
- Nº ref. fabric.:
- IRLR7843PBF
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 830-3388
- Nº ref. fabric.:
- IRLR7843PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 161 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.3V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.4V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 140 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Ancho | 6.22mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 34 nC a 4,5 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 2.39mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 161 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 4 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.3V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.4V | ||
Disipación de Potencia Máxima 140 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Ancho 6.22mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 34 nC a 4,5 V | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 2.39mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Serie HEXFET | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 161 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRLR7843TRPBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores eléctrico y electrónico, especialmente adecuado para las necesidades de la automoción y la industria. Su tecnología HEXFET garantiza una eficiencia y fiabilidad impresionantes, por lo que es ideal para convertidores buck síncronos de alta frecuencia y convertidores CC-CC aislados. El dispositivo gestiona eficazmente la disipación de energía, mejorando el rendimiento de los sistemas electrónicos.
Características y ventajas
• El RDS(on) extremadamente bajo optimiza la pérdida de potencia y la eficiencia
• La elevada corriente de drenaje continua admite aplicaciones intensivas
• Diseñado para altas temperaturas de funcionamiento para garantizar el rendimiento
• La construcción sin plomo cumple las normas de diseño respetuoso con el medio ambiente
• Una carga de puerta baja mejora el comportamiento de conmutación en los circuitos
Aplicaciones
• Utilizado en convertidores buck síncronos de alta frecuencia
• Utilizados en convertidores CC-CC aislados para sistemas de telecomunicaciones
• Sirve a los sistemas de gestión de energía de automoción
• Adecuado para fuentes de alimentación industriales que requieren una mayor eficiencia
• Ideal para la regulación de potencia en procesadores informáticos
¿Cuáles son las características típicas de rendimiento térmico?
La temperatura máxima de funcionamiento es de +175°C, con una resistencia térmica de 50°C/W de la unión al ambiente, lo que garantiza un rendimiento eficaz en entornos térmicos.
¿Cómo afecta la baja RDS(on) al diseño general del circuito?
Un RDS(on) bajo reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia en condiciones de carga variables, algo crucial para los diseños de alto rendimiento.
¿Puede gestionar eficazmente las corrientes de impulsos?
Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 620 A, lo que garantiza la fiabilidad operativa bajo cargas dinámicas.
¿Qué métodos de montaje son compatibles con este componente?
Como componente de montaje superficial en encapsulado DPAK, es adecuado para procesos de montaje automatizados.
¿Es adecuado para su uso en aplicaciones de automoción?
Sí, sus especificaciones, incluida una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo hacen adecuado para sistemas de alimentación de automóviles.