MOSFET Infineon IRFB23N15DPBF, VDSS 150 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
865-5778
Nº ref. fabric.:
IRFB23N15DPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

136 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

37 nC a 10 V

Longitud

10.54mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

4.69mm

Altura

19.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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