MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 876-5685P
- Nº ref. fabric.:
- STL42P6LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 50 unidades (suministrado en una tira continua)*
66,65 €
(exc. IVA)
80,65 €
(inc.IVA)
Añade 70 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 28 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 90 | 1,333 € |
| 100 - 240 | 1,201 € |
| 250 - 490 | 1,08 € |
| 500 + | 1,026 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 876-5685P
- Nº ref. fabric.:
- STL42P6LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Anchura | 5.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.35mm | ||
Anchura 5.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.