MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW40N65M2, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 876-5727
- Nº ref. fabric.:
- STW40N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
4,29 €
(exc. IVA)
5,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 492 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 4,29 € |
| 2 + | 4,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 876-5727
- Nº ref. fabric.:
- STW40N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines