MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2330P
Nº ref. fabric.:: IPP039N04LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Producto Alternativo

Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS: 165-8156

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,078 €

(exc. IVA)

1,304 €

(inc.IVA)

Código RS:: 892-2330P
Nº ref. fabric.:: IPP039N04LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP039N04L G, IPB039N04L G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	59 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.36mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	4.572mm
Material del transistor	Si
Altura	15.95mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Producto Alternativo

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V