MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-8156
Nº ref. fabric.:: IPP039N04LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

840 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,078 €

(exc. IVA)

1,304 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	1,078 €	53,90 €
100 - 200	0,851 €	42,55 €
250 - 450	0,819 €	40,95 €
500 - 950	0,776 €	38,80 €
1000 +	0,744 €	37,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-8156
Nº ref. fabric.:: IPP039N04LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP039N04L G, IPB039N04L G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.36mm
Ancho	4.572mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	59 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	15.95mm

MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V