MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 145-9347
- Nº ref. fabric.:
- IPP037N08N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,089 € | 104,45 € |
| 100 - 200 | 1,86 € | 93,00 € |
| 250 - 450 | 1,734 € | 86,70 € |
| 500 - 950 | 1,609 € | 80,45 € |
| 1000 + | 1,504 € | 75,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-9347
- Nº ref. fabric.:
- IPP037N08N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 88nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 88nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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