MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

46,15 €

(exc. IVA)

55,85 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 01 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 1000,923 €46,15 €
150 - 2000,888 €44,40 €
250 +0,877 €43,85 €

*precio indicativo

Código RS:
215-2547
Nº ref. fabric.:
IPP80N06S407AKSA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie OptiMOS® -T2 de transistores de potencia de Infineon tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 60V con encapsulado TO-220. Es de canal N con una resistencia máxima de fuente de drenaje de 7,1 mΩ.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

Enlaces relacionados