MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
222-4690
Nº ref. fabric.:
IPP020N08N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

178nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.36mm

Altura

4.57mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

15.95 mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de Infineon, también conocidos como transistores MOSFET, son los acrónimo de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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