MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP120N08S403AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-9088
Nº ref. fabric.:
IPP120N08S403AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

128nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.45mm

Anchura

4.57 mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y IRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

El producto tiene certificación AEC Q101

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Prueba de avalancha al 100 %

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