MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9096
- Nº ref. fabric.:
- IPP70N12S311AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
99,60 €
(exc. IVA)
120,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,992 € | 99,60 € |
| 100 - 200 | 1,594 € | 79,70 € |
| 250 - 450 | 1,494 € | 74,70 € |
| 500 - 950 | 1,394 € | 69,70 € |
| 1000 + | 1,295 € | 64,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9096
- Nº ref. fabric.:
- IPP70N12S311AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.57mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y IRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
El producto tiene certificación AEC Q101
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Prueba de avalancha al 100 %
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-220 de 3 pines