Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 688-6914
Nº ref. fabric.:: IRFB3307ZPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

4,27 €

(exc. IVA)

5,166 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 10 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Disponible(s) 16 unidad(es) más para enviar a partir del 28 de enero de 2026
Disponible(s) 24 unidad(es) más para enviar a partir del 17 de febrero de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 18	2,135 €	4,27 €
20 - 48	1,745 €	3,49 €
50 - 98	1,62 €	3,24 €
100 - 198	1,515 €	3,03 €
200 +	1,41 €	2,82 €

*precio indicativo

Código RS:: 688-6914
Nº ref. fabric.:: IRFB3307ZPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	75V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	79nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	230W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.82 mm
	Longitud	10.66mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	9.02mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 230W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.82 mm
	Longitud 10.66mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 9.02mm
	Estándar de automoción No

Inicie sesión para descargar modelos CAD

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.