MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 165-7607
Nº ref. fabric.:: IRFB3307ZPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	1,847 €	92,35 €
100 - 200	1,551 €	77,55 €
250 - 450	1,44 €	72,00 €
500 - 950	1,348 €	67,40 €
1000 +	1,237 €	61,85 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-7607
Nº ref. fabric.:: IRFB3307ZPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	75V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	230W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	79nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.82 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	9.02mm
	Longitud	10.66mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 230W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.82 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 9.02mm
	Longitud 10.66mm
	Estándar de automoción No

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