MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 912-8687
Nº ref. fabric.:: IRF2805PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,904 €	45,20 €
100 - 200	0,858 €	42,90 €
250 - 450	0,822 €	41,10 €
500 - 950	0,768 €	38,40 €
1000 +	0,723 €	36,15 €

*precio indicativo

Código RS:: 912-8687
Nº ref. fabric.:: IRF2805PBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislation and Compliance

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	75A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	150nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	330W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.67mm
	Altura	16.51mm
	Anchura	4.83 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 75A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 330W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.67mm
	Altura 16.51mm
	Anchura 4.83 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 75 A, disipación de potencia máxima de 330 W - IRF2805PBF

Este MOSFET de potencia ofrece un excelente rendimiento para diversas aplicaciones electrónicas. Sus robustas especificaciones están diseñadas para entornos industriales, garantizando tanto la fiabilidad como la eficiencia. Con una baja resistencia a la conexión, este componente admite una alta capacidad de corriente, lo que lo hace adecuado para circuitos avanzados.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 75 A

• Mejora la eficiencia con un bajo RDS(on) de 4,7mΩ

• Compatible con tensiones de fuente de puerta de +20 V/-20 V para una mayor flexibilidad

• Capaz de velocidades de conmutación rápidas para satisfacer las necesidades de rendimiento dinámico

• Admite el manejo repetitivo de avalanchas para una mayor resistencia operativa

Aplicaciones

• Se utiliza en accionamientos de motores industriales para un control eficaz de la potencia

• Adecuado para la gestión de la energía en sistemas de automatización

• Utilizados en sistemas de energía renovable para una conmutación eficiente

• Utilizado en herramientas eléctricas duraderas y de alto rendimiento

• Aplicable en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos

¿Cuál es la temperatura máxima que puede soportar este componente?

Puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C para ofrecer un rendimiento en condiciones extremas.

¿Cómo gestiona este MOSFET las aplicaciones de alta corriente?

Está diseñado para gestionar una corriente de drenaje continua de 75 A, lo que lo hace adecuado para grandes demandas de corriente.

¿Puede utilizarse en aplicaciones con requisitos de conmutación rápida?

Sí, este MOSFET admite velocidades de conmutación rápidas, ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento dinámico.

¿Es adecuado este dispositivo para su uso en inversores de potencia?

Sí, su estabilidad térmica y su capacidad para manejar altas corrientes lo hacen apropiado para aplicaciones de inversores de potencia en sistemas de energías renovables.

¿Qué implicaciones tiene su baja on-resistencia?

El bajo RDS(on) reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que contribuye a mejorar la eficiencia y el rendimiento térmico.