MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 169 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 913-3831
- Nº ref. fabric.:
- IRF1405PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
52,00 €
(exc. IVA)
63,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 200 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,04 € | 52,00 € |
| 100 - 200 | 0,988 € | 49,40 € |
| 250 - 450 | 0,947 € | 47,35 € |
| 500 - 950 | 0,884 € | 44,20 € |
| 1000 + | 0,832 € | 41,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 913-3831
- Nº ref. fabric.:
- IRF1405PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 169A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 169A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 169 A, disipación de potencia máxima de 330 W - IRF1405PBF
Este MOSFET está destinado a diversas aplicaciones, ofreciendo un gran rendimiento en soluciones de gestión de potencia. Gracias a sus sólidas especificaciones y avanzadas técnicas de procesamiento, es un componente clave en los sectores de la automatización y la electrónica. Su capacidad para gestionar altas corrientes y tensiones lo hace vital para numerosos procesos industriales.
Características y ventajas
• La corriente de drenaje continua máxima de 169 A mejora la durabilidad
• Con una tensión nominal de 55 V, garantiza el funcionamiento en condiciones de alta tensión
• La baja resistencia a la conexión de 5mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• La capacidad de conmutación rápida aumenta la eficiencia del sistema
• Modo de mejora para un funcionamiento óptimo
Aplicaciones
• Se utiliza en accionamientos de motores industriales para un control eficaz
• Adecuado para altas corrientes en fuentes de alimentación
• Ideal para motores de accionamiento de equipos de automatización
• Eficaz en convertidores e inversores para sistemas de energías renovables
¿Cuál es el límite máximo de tensión puerta-fuente?
La tensión puerta-fuente máxima es de ±20 V, lo que garantiza un funcionamiento seguro.
¿Cómo gestiona térmicamente este dispositivo?
Funciona eficazmente hasta 175°C, proporcionando fiabilidad en condiciones de alta temperatura.
¿Qué factores deben tenerse en cuenta durante la instalación?
Asegúrese de que el par de montaje es el adecuado y tenga en cuenta la resistencia térmica del disipador para mantener un rendimiento eficiente.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación?
Sí, cuenta con capacidades de conmutación rápida adecuadas para aplicaciones de alta velocidad, lo que reduce el tiempo de respuesta.
¿Qué valores de carga de puerta cabe esperar durante el funcionamiento?
La carga de puerta típica es de 170nC a 10V, lo que facilita unos tiempos de encendido y apagado rápidos.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
