MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

32,40 €

(exc. IVA)

39,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 700 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
  • Disponible(s) 50 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 500,648 €32,40 €
100 - 2000,505 €25,25 €
250 - 4500,473 €23,65 €
500 - 12000,441 €22,05 €
1250 +0,408 €20,40 €

*precio indicativo

Código RS:
919-4898
Nº ref. fabric.:
IRLZ34NPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.54mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.69 mm

Altura

8.77mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLZ34NPBF


Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para ofrecer eficiencia en diversas aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 30 A y puede manejar tensiones de drenaje-fuente de hasta 55 V. La capacidad de modo mejorado garantiza el funcionamiento en diversas condiciones, lo que lo convierte en un valioso componente para la gestión de la energía en distintos sectores.

Características y ventajas


• La baja resistencia a la conexión de 35mΩ reduce la pérdida de potencia

• La alta capacidad de disipación de potencia de 68 W mejora el rendimiento

• El rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C garantiza la versatilidad

• La carga de puerta típica de 25nC a 5V permite una conmutación más rápida

• El encapsulado compacto TO-220AB permite un diseño eficaz de la placa de circuito impreso

Aplicaciones


• Utilizados en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía

• Apropiado para circuitos de controladores de motor en automatización industrial

• Eficacia de los sistemas de gestión de la energía renovable

• Utilizado en conmutación de alta velocidad para las telecomunicaciones

¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente?


El dispositivo puede soportar una tensión puerta-fuente máxima de ±16 V, lo que garantiza un funcionamiento seguro en diversos circuitos.

¿Cómo afecta la temperatura a su rendimiento?


El MOSFET funciona eficientemente en un rango de temperaturas de -55°C a +175°C, manteniendo la estabilidad en condiciones extremas.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?


Sí, está diseñado con una carga de puerta típica de 25nC a 5V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia como amplificadores de RF.

¿Qué implicaciones tiene una Rds(on) baja?


Un valor Rds(on) más bajo reduce significativamente la generación de calor y las pérdidas de potencia, mejorando la eficiencia global en los diseños de fuentes de alimentación.

¿Es compatible con varios circuitos electrónicos?


Este dispositivo es versátil y puede integrarse en distintas configuraciones de circuitos, incluida la electrónica de potencia industrial y de automoción.

Enlaces relacionados