MOSFET Infineon IRLZ34NPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 541-1247
Nº ref. fabric.:: IRLZ34NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLZ34NPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 22/07/2024, con entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

1,14 €

(exc. IVA)

1,38 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	1,14 €
10 - 49	1,02 €
50 - 99	0,96 €
100 - 249	0,88 €
250 +	0,85 €

Código RS:: 541-1247
Nº ref. fabric.:: IRLZ34NPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

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Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	35 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	68 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 5 V
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C