MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 47 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4814
- Nº ref. fabric.:
- IRLZ44NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4814
- Nº ref. fabric.:
- IRLZ44NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16, +16V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16, +16V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 47 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRLZ44NPBF
Este MOSFET de canal N de alto rendimiento de Infineon está diseñado para una conmutación eficiente y un manejo de potencia sustancial en sistemas electrónicos. Gracias a su avanzada tecnología HEXFET, es apto para diversas aplicaciones de semiconductores, por lo que resulta idóneo para profesionales de la automatización, la electrónica y la ingeniería eléctrica que busquen un rendimiento sólido en la gestión de potencia.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 47 A para un suministro de energía eficaz
• Funciona con una tensión de drenaje-fuente de 55 V, lo que aumenta la versatilidad de las aplicaciones
• La disipación de potencia máxima de 110 W optimiza la gestión térmica
• El diseño del modo de mejora garantiza una conmutación y un control eficaces
• El umbral de tensión de puerta bajo, de 1 V a 2 V, facilita el control con una tensión de accionamiento mínima
• El manejo de alta corriente con una baja resistencia de encendido de 22mΩ mejora la eficiencia
Aplicaciones
• Circuitos de alimentación que requieren una conmutación eficiente de la carga
• Convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables
• Automoción alto rendimiento exigente
• Sistemas de control de motores para mejorar la eficacia operativa
• Sistemas de iluminación que requieren una regulación precisa de la potencia
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento del dispositivo?
El dispositivo funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversas condiciones ambientales.
¿Cómo debe montarse para un rendimiento óptimo?
Está diseñado para montaje pasante en un encapsulado TO-220AB, lo que permite una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Se puede utilizar con otros componentes de gestión de energía?
Sí, es compatible con una amplia gama de componentes de conmutación y gestión de potencia, por lo que se adapta perfectamente a diversos diseños de circuitos.
¿Qué implicaciones tiene el rango de tensión umbral de puerta?
Una tensión de umbral de puerta de 1V a 2V permite una conducción sencilla con niveles de señal estándar, lo que simplifica el diseño de circuitos y mejora la compatibilidad.
¿Es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia?
Con una baja carga de puerta de 48nC a 5V, soporta aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, contribuyendo a la eficiencia global en sistemas de potencia.
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