MOSFET Infineon IRF3205PBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4763
Nº ref. fabric.:: IRF3205PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF3205PBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,117 €

(exc. IVA)

1,352 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	1,117 €	55,85 €
100 - 200	0,894 €	44,70 €
250 - 450	0,838 €	41,90 €
500 - 950	0,782 €	39,10 €
1000 +	0,726 €	36,30 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4763
Nº ref. fabric.:: IRF3205PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	200 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	146 nC a 10 V
Longitud	10.54mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	4.69mm
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C