MOSFET Infineon IRF3205PBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 919-4763
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205PBF
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/05/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,087 €
(exc. IVA)
1,315 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 1,087 € | 54,35 € |
| 100 - 200 | 0,87 € | 43,50 € |
| 250 - 450 | 0,815 € | 40,75 € |
| 500 - 950 | 0,761 € | 38,05 € |
| 1000 + | 0,706 € | 35,30 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 919-4763
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205PBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 110 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 200 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 10.54mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 146 nC a 10 V |
| Ancho | 4.69mm |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 8.77mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 919-4763
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205PBF
- Fabricante:
- Infineon
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IRFZ44NPBF ID 49 A config. Simple
- MOSFET Infineon IRFZ44NPBF ID 49 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IRF5305PBF ID 31 A config. Simple
- MOSFET Infineon IRF4905PBF ID 74 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IRF1010ZPBF ID 94 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IRFZ48NPBF ID 64 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IRF3205ZPBF ID 110 A , config. Simple
- MOSFET Infineon AUIRF3205Z ID 110 A , config. Simple