MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4763
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205PBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 100 - 200 | 1,217 € | 60,85 € |
| 250 - 450 | 1,141 € | 57,05 € |
| 500 - 950 | 1,065 € | 53,25 € |
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- Código RS:
- 919-4763
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 146nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 146nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 110 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 55 V - IRF3205PBF
Este MOSFET HEXFET es un componente de electrónica de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes. Presenta una configuración de canal N con una corriente de drenaje continua máxima de 110 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V. El encapsulado TO-220AB garantiza una gestión térmica eficaz y es adecuado para su uso en diversos entornos industriales.
Características y ventajas
• Capaz de funcionar a altas temperaturas de hasta +175°C
• Ofrece características de conmutación rápida para mejorar el rendimiento
• Excelente clasificación para avalanchas para una mayor durabilidad
• El diseño del modo de mejora proporciona un funcionamiento estable
• Diseñado para facilitar el montaje en orificios pasantes
Aplicaciones
• Se utiliza para la conversión de potencia en fuentes de alimentación
• Adecuado para el control de motores
• Utilizado en sistemas de gestión de baterías
• Aplicación en circuitos de conmutación de alta frecuencia
• Integrado en sistemas de alimentación de electrónica de consumo
¿Qué características térmicas deben tenerse en cuenta para este componente?
La resistencia térmica de unión a carcasa es de 0,75 °C/W, y la de carcasa a disipador puede ser de hasta 0,50 °C/W cuando se aplica a una superficie plana y engrasada. Esto es esencial para mantener un rendimiento óptimo en situaciones de alta carga.
¿Cómo pueden influir las especificaciones en el rendimiento global?
La baja resistencia a la conexión y la alta capacidad de corriente de drenaje continua permiten reducir la pérdida de potencia y mejorar la eficiencia térmica, lo que se traduce en una mayor fiabilidad en diversas aplicaciones.
¿Qué métodos pueden aplicarse para una disipación eficaz del calor?
La utilización de un disipador térmico junto con el encapsulado TO-220AB puede mejorar enormemente la disipación del calor durante el funcionamiento, garantizando que el dispositivo se mantenga dentro de unos límites térmicos seguros.
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