MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 124-9000
Nº ref. fabric.:: IRF3205ZPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,834 €	41,70 €
100 - 200	0,676 €	33,80 €
250 - 450	0,634 €	31,70 €
500 - 950	0,592 €	29,60 €
1000 +	0,551 €	27,55 €

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Código RS:: 124-9000
Nº ref. fabric.:: IRF3205ZPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	110A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	76nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	170W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.54mm
	Altura	8.77mm
	Anchura	4.69 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 110A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 170W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.54mm
	Altura 8.77mm
	Anchura 4.69 mm
	Estándar de automoción No

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COO (País de Origen):: MX

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