MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4735
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4735
- Nº ref. fabric.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Tecnología Advanced Process
Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja
Sin plomo, Conformidad RoHS
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