MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4735
Nº ref. fabric.:
IRF3205ZSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Tecnología Advanced Process

Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja

Sin plomo, Conformidad RoHS

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