MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
223-8512
Nº ref. fabric.:
IPB100N06S2L05ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado D2-PAK. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Certificación AEC Q101 para automoción

260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak

Temperatura de funcionamiento de •175 °C.

•Paquete verde

•RDS ultra baja

Prueba de avalancha de •100 %

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