MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-8196
Nº ref. fabric.:
IRF1010ZSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

94A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

-1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Anchura

11.3 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 94 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRF1010ZSTRLPBF


Este MOSFET de montaje superficial ofrece un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones. Creado por Infineon, aprovecha las técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una baja resistencia a la conexión y una alta capacidad de manejo de corriente. Su eficacia en entornos de altas temperaturas lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica, la electricidad y la mecánica.

Características y ventajas


• La elevada corriente de drenaje continua de 94 A admite aplicaciones con cargas considerables

• El bajo RDS(on) de 7,5mΩ minimiza las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V para mayor flexibilidad de diseño

• Alta fiabilidad con una temperatura máxima de funcionamiento de 175°C

• La capacidad de conmutación rápida reduce los retrasos en la respuesta del circuito

• La configuración de canal N es adecuada para diseños electrónicos avanzados

Aplicaciones


• Utilizados en sistemas de gestión y conversión de energía

• Empleado en circuitos de control de motores para tecnologías de automatización

• Adecuado para diseños de fuentes de alimentación que exigen una alta eficiencia

• Integral en la electrónica de potencia del vehículo eléctrico

• Se utiliza en sistemas de energías renovables para una conversión eficaz de la energía

¿Qué implicaciones tiene la característica de baja resistencia a la conexión?


La baja resistencia a la conexión de 7,5mΩ garantiza una mínima generación de calor durante el funcionamiento, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor necesidad de refrigeración.

¿Cómo se comporta este MOSFET en entornos de alta temperatura?


Soporta temperaturas máximas de funcionamiento de hasta 175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones duras sin comprometer el rendimiento.

¿Qué tipo de montaje requiere este componente?


Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que permite un diseño compacto y una gestión térmica eficaz en placas de circuitos impresos.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes pulsadas?


Sí, cuenta con una corriente de drenaje pulsada nominal de 360 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.

¿Qué características debo tener en cuenta para la compatibilidad de circuitos?


Asegúrese de que la tensión umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V para garantizar un comportamiento de conmutación adecuado en el diseño del circuito.

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