MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
229-1728
Nº ref. fabric.:
AUIRF3205ZSTRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

AUIRF

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

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