MOSFET Infineon IRF3205STRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 831-2809
Nº ref. fabric.:: IRF3205STRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF3205STRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

440 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,183 €

(exc. IVA)

1,431 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,183 €	11,83 €
50 - 90	0,935 €	9,35 €
100 - 240	0,876 €	8,76 €
250 - 490	0,817 €	8,17 €
500 +	0,757 €	7,57 €

*precio indicativo

Código RS:: 831-2809
Nº ref. fabric.:: IRF3205STRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	200 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	146 nC a 10 V
Ancho	9.65mm
Material del transistor	Si
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C