MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB100N06S2L05ATMA2, VDSS 55 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
223-8513
Nº ref. fabric.:
IPB100N06S2L05ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado D2-PAK. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Certificación AEC Q101 para automoción

260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak

Temperatura de funcionamiento de •175 °C.

•Paquete verde

•RDS ultra baja

Prueba de avalancha de •100 %

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