MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 222-4734
Nº ref. fabric.:: IRF3205ZSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

0,838 €

(exc. IVA)

1,014 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 - 800	0,838 €	670,40 €
1600 +	0,796 €	636,80 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4734
Nº ref. fabric.:: IRF3205ZSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IRF3205ZSTRLPBF

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Tecnología Advanced Process
Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja
Sin plomo, Conformidad RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0065 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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