MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4808
- Nº ref. fabric.:
- IRFP064NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*
45,00 €
(exc. IVA)
54,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 125 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 1,80 € | 45,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4808
- Nº ref. fabric.:
- IRFP064NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 20.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 20.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 110 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRFP064NPBF
Este MOSFET representa un componente electrónico de alto rendimiento diseñado para una gestión eficiente de la energía. Puede manejar una corriente de drenaje continua de 110 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para su uso en automatización, electrónica e industrias eléctricas. El diseño del modo de mejora garantiza un rendimiento óptimo en diversas condiciones, lo que pone de relieve su papel en los sistemas electrónicos contemporáneos.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión de 8mΩ mejora la eficiencia
• La disipación de potencia máxima de 200 W garantiza un funcionamiento robusto
• Capaz de soportar temperaturas de funcionamiento de hasta +175°C
• Versátil, compatible con tensiones de puerta-fuente tanto negativas como positivas
• La configuración de un solo transistor admite una gran variedad de aplicaciones
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de alimentación que requieren alta eficiencia
• Común en los sistemas de control de motores para automatización
• Adecuado para equipos de telecomunicaciones
• Eficaz en sistemas de conversión de energía en entornos industriales
¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?
La disipación de potencia máxima es de 200 W, lo que permite un rendimiento sólido en diversas aplicaciones.
¿Puede funcionar en entornos con altas temperaturas?
Sí, es capaz de funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones difíciles.
¿Qué tipo de tensión de puerta se necesita para el funcionamiento?
Este dispositivo funciona con un rango máximo de tensión puerta-fuente de -20 V a +20 V, lo que permite opciones de control flexibles.
¿Cómo influye el tipo de canal en su rendimiento?
El tipo de canal N es beneficioso para aplicaciones que necesitan una conmutación eficiente y un manejo de alta corriente.
¿Es adecuado para integraciones con diseño de orificios pasantes?
Sí, tiene un encapsulado TO-247AC con un tipo de montaje de orificio pasante, lo que facilita la instalación en diversas configuraciones.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines