MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
919-4892
Nº ref. fabric.:
IRFP054NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

20.3mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.9mm

Anchura

5.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 81 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRFP054NPBF


Este MOSFET ofrece una solución robusta para un rendimiento de alta velocidad y una gestión eficiente de la energía. Con su configuración de canal N, el dispositivo garantiza un funcionamiento fiable en diversos circuitos electrónicos. Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 81 A y tiene una tensión nominal de 55 V, lo que la convierte en una opción notable para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica.

Características y ventajas


• La corriente de drenaje continua máxima de 81 A admite aplicaciones de alto rendimiento

• La baja resistencia a la conexión de 12mΩ contribuye a mejorar la eficiencia

• El amplio rango de tensión umbral de puerta permite diseños de circuitos versátiles

• La alta capacidad de disipación de potencia de 170 W garantiza un funcionamiento duradero

• El compacto encapsulado TO-247AC simplifica la instalación

Aplicaciones


• Utilizados en sistemas de conversión de potencia y control de motores

• Integrado en los circuitos de alimentación y amplificación

• Aplicable en sistemas de energías renovables para una conmutación eficiente

• Adecuado para automoción , mejora la resistencia de las prestaciones

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de energía de este dispositivo?


La potencia máxima disipada es de 170 W, lo que le permite gestionar cargas importantes con eficacia.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?


La tensión de umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que permite la compatibilidad con diversos diseños de circuitos y garantiza un funcionamiento eficaz dentro de los parámetros especificados.

¿Puede utilizarse este MOSFET en entornos de alta temperatura?


Sí, funciona en un rango de temperatura de -55 °C a +175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones térmicas difíciles.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar un RDS(on) bajo?


Un bajo RDS(on) de 12mΩ reduce la generación de calor y mejora la eficiencia, algo fundamental para las aplicaciones de alto rendimiento.

¿Es fácil de instalar en los sistemas electrónicos existentes?


El tipo de encapsulado TO-247AC está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que facilita su instalación en diversas aplicaciones.

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