MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 29 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

17,15 €

(exc. IVA)

20,75 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 200 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 500,343 €17,15 €
100 - 2000,268 €13,40 €
250 - 4500,251 €12,55 €
500 - 12000,233 €11,65 €
1250 +0,223 €11,15 €

*precio indicativo

Código RS:
919-4766
Nº ref. fabric.:
IRFZ34NPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 29 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRFZ34NPBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones electrónicas avanzadas, especialmente cuando son esenciales una alta eficiencia y fiabilidad. Su configuración de canal N facilita una conmutación y modulación eficaces de las corrientes eléctricas en los sistemas de potencia. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V y una corriente de drenaje continua de 29 A, este componente es crucial para los diseños de alto rendimiento en los sectores de la automatización y la electricidad.

Características y ventajas


• Resistencia a la conexión ultrabaja para una pérdida de potencia mínima

• Disipación de potencia máxima de 68 W para una funcionalidad robusta

• La tolerancia a altas temperaturas de hasta 175 °C garantiza un rendimiento a largo plazo

• Compatible con montaje pasante para facilitar la integración

• La capacidad dinámica dv/dt permite aplicaciones de conmutación rápida

• El transistor de modo de realce mejora la eficiencia del dispositivo

Aplicaciones


• Utilizado en diseños de fuentes de alimentación para una gestión eficaz de la energía

• Empleado en el control motor para una regulación precisa de la velocidad

• Apto para conmutación discreta en electrónica de consumo

• Se aplica en la automatización industrial para mejorar la fiabilidad de los sistemas

• Apropiado para automoción que requieren una gran potencia

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima a 100°C?


A 100 °C, la corriente de drenaje continua es de 20 A, lo que garantiza la fiabilidad en condiciones de alta temperatura.

¿Cómo beneficia la baja resistencia de conexión a la eficiencia del circuito?


Un RDS(on) bajo disminuye las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que aumenta la eficiencia general del circuito y minimiza la generación de calor.

¿Se puede utilizar para configuraciones paralelas?


Sí, el diseño facilita la conexión en paralelo, mejorando el manejo de la corriente para aplicaciones de alta potencia.

¿Qué implicaciones tiene la tensión máxima puerta-fuente?


La tensión máxima de la fuente de puerta de ±20 V garantiza un funcionamiento seguro y protege contra daños durante las actividades de conmutación estándar.

¿Cuál es el impacto de la temperatura en el rendimiento?


Con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, mantiene la integridad operativa en condiciones extremas, lo que la hace adecuada para una gran variedad de aplicaciones.

Enlaces relacionados