MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
218-3070
Nº ref. fabric.:
IPP80N06S209AKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57mm

Altura

9.45mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción Infineon de canal N de 55 V. Este MOSFET se utiliza en control de válvulas, control de solenoides, iluminación, motores de un extremo, etc.

Canal N - Modo de mejora

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Prueba de avalancha al 100 %

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