MOSFET Infineon IRFZ48NPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4797
Nº ref. fabric.:: IRFZ48NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFZ48NPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (En un Tubo de 50)**

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo**
50 - 50	0,82 €	41,00 €
100 - 200	0,623 €	31,15 €
250 - 450	0,582 €	29,10 €
500 - 1200	0,541 €	27,05 €
1250 +	0,50 €	25,00 €

**precio indicativo

Código RS:: 919-4797
Nº ref. fabric.:: IRFZ48NPBF
Fabricante:: Infineon

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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 130 W - IRFZ48NPBF

Este MOSFET de potencia es adecuado para aplicaciones de alta eficiencia, con un rendimiento robusto y métodos de procesamiento avanzados. Proporciona una opción fiable para una gran variedad de diseños electrónicos, especialmente en escenarios en los que la eficiencia energética es esencial.

Características y ventajas

• Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 64 A
• Utiliza el modo de realce para mejorar las características de conmutación
• El bajo RDS(on) de 14mΩ mejora la eficiencia
• Funciona con fiabilidad en una gama de temperaturas de -55 °C a +175 °C
• Capaz de manejar tensiones puerta-fuente de hasta ±20V
• Totalmente resistente a avalanchas para mayor seguridad en condiciones transitorias

Aplicaciones

• Accionamiento de cargas inductivas en sistemas de automatización
• Circuitos de gestión de potencia en equipos industriales
• Sistemas eléctricos de automoción y convertidores de potencia
• Convertidores CC-CC y fuentes de alimentación
• Control del motor que requieren un alto rendimiento

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia?

El dispositivo puede gestionar una disipación de potencia máxima de 130 W cuando se refrigera adecuadamente, lo que garantiza una gestión térmica eficaz en escenarios de alta carga.

¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento al rendimiento?

El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, permite que el dispositivo funcione de forma fiable en diversas condiciones ambientales.

¿Este dispositivo es compatible con los diseños de placas de circuito impreso estándar?

Sí, está disponible en un encapsulado TO-220AB, de uso común en la industria por su sencillo montaje en PCB y su eficaz disipación del calor.

¿Qué aplicaciones se benefician más de la rápida velocidad de conmutación de este componente?

Los MOSFET de potencia con capacidad de conmutación rápida son ideales para aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas y convertidores de alta frecuencia, donde son cruciales las bajas pérdidas por conmutación.

¿Cómo debe manipularse el aparato durante la instalación?

Durante la instalación, asegúrese de que el par de montaje es el adecuado y evite temperaturas de soldadura excesivas. Se recomienda seguir las directrices de seguridad estándar para evitar daños.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	14 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	130 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	81 nC a 10 V
Longitud	10.54mm
Ancho	4.69mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	8.77mm