MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 64 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4797
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ48NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
40,80 €
(exc. IVA)
49,35 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 250 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,816 € | 40,80 € |
| 100 - 200 | 0,62 € | 31,00 € |
| 250 - 450 | 0,579 € | 28,95 € |
| 500 - 1200 | 0,539 € | 26,95 € |
| 1250 + | 0,498 € | 24,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4797
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ48NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 81nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 130 W - IRFZ48NPBF
Este MOSFET de potencia es adecuado para aplicaciones de alta eficiencia, con un rendimiento robusto y métodos de procesamiento avanzados. Proporciona una opción fiable para una gran variedad de diseños electrónicos, especialmente en escenarios en los que la eficiencia energética es esencial.
Características y ventajas
• Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 64 A
• Utiliza el modo de realce para mejorar las características de conmutación
• El bajo RDS(on) de 14mΩ mejora la eficiencia
• Funciona con fiabilidad en una gama de temperaturas de -55 °C a +175 °C
• Capaz de manejar tensiones puerta-fuente de hasta ±20V
• Totalmente resistente a avalanchas para mayor seguridad en condiciones transitorias
Aplicaciones
• Accionamiento de cargas inductivas en sistemas de automatización
• Circuitos de gestión de potencia en equipos industriales
• Sistemas eléctricos de automoción y convertidores de potencia
• Convertidores CC-CC y fuentes de alimentación
• Control del motor que requieren un alto rendimiento
¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia?
El dispositivo puede gestionar una disipación de potencia máxima de 130 W cuando se refrigera adecuadamente, lo que garantiza una gestión térmica eficaz en escenarios de alta carga.
¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento al rendimiento?
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, permite que el dispositivo funcione de forma fiable en diversas condiciones ambientales.
¿Este dispositivo es compatible con los diseños de placas de circuito impreso estándar?
Sí, está disponible en un encapsulado TO-220AB, de uso común en la industria por su sencillo montaje en PCB y su eficaz disipación del calor.
¿Qué aplicaciones se benefician más de la rápida velocidad de conmutación de este componente?
Los MOSFET de potencia con capacidad de conmutación rápida son ideales para aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas y convertidores de alta frecuencia, donde son cruciales las bajas pérdidas por conmutación.
¿Cómo debe manipularse el aparato durante la instalación?
Durante la instalación, asegúrese de que el par de montaje es el adecuado y evite temperaturas de soldadura excesivas. Se recomienda seguir las directrices de seguridad estándar para evitar daños.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines