MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP200N25N3GXKSA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 754-5500
- Nº ref. fabric.:
- IPP200N25N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
5,09 €
(exc. IVA)
6,16 €
(inc.IVA)
Añade 19 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 103 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 56 unidad(es) más para enviar a partir del 04 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 5,09 € |
| 5 - 9 | 4,84 € |
| 10 - 24 | 4,36 € |
| 25 - 49 | 3,92 € |
| 50 + | 3,71 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 754-5500
- Nº ref. fabric.:
- IPP200N25N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 15.95 mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 15.95 mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines