MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1, VDSS 250 V, ID 64 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5500
Nº ref. fabric.:: IPP200N25N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1, VDSS 250 V, ID 64 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

10 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

7,61 €

(exc. IVA)

9,21 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	7,61 €
5 - 9	7,23 €
10 - 24	6,50 €
25 - 49	5,86 €
50 +	5,56 €

Código RS:: 754-5500
Nº ref. fabric.:: IPP200N25N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	250 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	64 nC a 10 V
Longitud	10.36mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	15.95mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm