MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 46 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9346
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4229PBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,284 € | 64,20 € |
| 100 - 200 | 1,074 € | 53,70 € |
| 250 + | 1,047 € | 52,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9346
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4229PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFB de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 250 V en un encapsulado TO 220. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Corriente nominal alta
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible
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