Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4229PBF, VDSS 250 V, ID 46 A, TO-220

Código RS:: 257-9347
Nº ref. fabric.:: IRFB4229PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4229PBF, VDSS 250 V, ID 46 A, TO-220

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 18	3,285 €	6,57 €
20 - 48	2,955 €	5,91 €
50 - 98	2,76 €	5,52 €
100 - 198	2,565 €	5,13 €
200 +	2,365 €	4,73 €

*precio indicativo

Código RS:: 257-9347
Nº ref. fabric.:: IRFB4229PBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	46A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	250V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	15mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	10 V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	72nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 46A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRFB4229PBF

La serie IRFB de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 250 V en un encapsulado TO 220. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Corriente nominal alta

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4229PBF, VDSS 250 V, ID 46 A, TO-220

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