MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
124-8961
Nº ref. fabric.:
IRFB4332PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

99nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.02mm

Longitud

10.66mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 60 A, disipación de potencia máxima de 390 W - IRFB4332PBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización y electrónica. Aprovechando la avanzada tecnología HEXFET, garantiza una eficiencia y fiabilidad óptimas en entornos críticos. El dispositivo presenta unas especificaciones robustas combinadas con un diseño fácil de usar, lo que lo hace adecuado para toda una serie de aplicaciones industriales. Su funcionamiento eficaz en condiciones rigurosas cumple los requisitos de los sistemas electrónicos modernos.

Características y ventajas


• La configuración de canal N permite un flujo de corriente eficiente

• La corriente de drenaje continua nominal de 60 A facilita un gran rendimiento

• La capacidad de alta tensión de hasta 250 V aumenta la versatilidad

• La baja resistencia a la conexión aumenta la eficiencia y minimiza la generación de calor

• El funcionamiento en modo de mejora aumenta la estabilidad de las aplicaciones digitales

• La alta capacidad de disipación de energía contribuye a la fiabilidad bajo carga

Aplicaciones


• Aplicado en sistemas de recuperación de energía para aumentar la eficiencia

• Apto para interruptor de paso donde el espacio es limitado

• Se utiliza en paneles de pantallas de plasma para mejorar el rendimiento

• Ideal para controles de automatización que exigen una corriente alta sostenida

¿Cuál es el intervalo de temperatura para un funcionamiento óptimo?


El dispositivo funciona eficazmente entre -40 °C y +175 °C, lo que le permite funcionar en diversas condiciones ambientales.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?


Con una tensión umbral entre 3V y 5V, permite un control preciso en aplicaciones de conmutación.

¿Puede soportar altas corrientes pulsadas?


Sí, el diseño admite corrientes de drenaje pulsadas, lo que permite 230 A en condiciones específicas, lo que resulta ventajoso para aplicaciones transitorias.

¿Cuáles son los requisitos de gestión térmica?


Para mantener un rendimiento óptimo, deben aplicarse medidas de refrigeración adecuadas, teniendo en cuenta una disipación de potencia máxima de 390 W.

¿Es compatible con varias configuraciones de montaje?


El encapsulado TO-220AB permite el montaje directo a través de orificios, lo que mejora la compatibilidad en múltiples diseños de circuitos.

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