MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP220N25NFDAKSA1, VDSS 250 V, ID 61 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 898-6983
Nº ref. fabric.:: IPP220N25NFDAKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP220N25NFDAKSA1, VDSS 250 V, ID 61 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 898-6983
Nº ref. fabric.:: IPP220N25NFDAKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	61A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	250V
	Serie	OptiMOS FD
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	22mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	300W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	65nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.36mm
	Altura	15.95mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 61A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V
	Serie OptiMOS FD
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 300W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.36mm
	Altura 15.95mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon OptiMOS serie FD, corriente de drenaje continua máxima de 61 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IPP220N25NFDAKSA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gestión eficiente de la potencia. Con su configuración de modo de mejora de canal N y sus robustas especificaciones, desempeña un papel esencial en sectores como la automatización, la electrónica y los sistemas eléctricos. Ofrece una corriente de drenaje continua máxima de 61 A y una tensión de ruptura de 250 V, proporcionando fiabilidad y rendimiento térmico en entornos difíciles.

Características y ventajas

• La baja resistencia a la conexión aumenta la eficiencia energética durante el funcionamiento

• La alta capacidad de corriente admite una amplia gama de aplicaciones

• Su elevada temperatura de funcionamiento de hasta +175 °C aumenta su versatilidad

• Optimizada para una conmutación dura, lo que contribuye a su robustez y durabilidad

• Cumple la normativa RoHS y de ausencia de halógenos, lo que favorece el respeto por el medio ambiente

• Las eficientes características de carga de la puerta garantizan una conmutación eficaz

Aplicaciones

• Se utiliza en circuitos de conversión de potencia para equipos de automatización

• Ideal para accionamientos de motores de alta potencia en maquinaria industrial

• De uso común en fuentes de alimentación para dispositivos electrónicos

• Adecuado para sistemas de gestión de energía de automoción

• Empleado en sistemas de energía renovable para inversores

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de energía?

Puede manejar una disipación de potencia máxima de 300 W, lo que garantiza el rendimiento en escenarios de carga elevada.

¿Cómo se comporta en entornos de altas temperaturas?

Este MOSFET puede funcionar de forma continua a temperaturas que alcanzan los +175°C, lo que lo hace idóneo para condiciones extremas.

¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?

Sí, el dispositivo puede gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 244 A, lo que resulta beneficioso para aplicaciones de carga transitoria.

¿Cuál es la importancia de su bajo valor Rds(on)?

Un bajo Rds(on) de 22mΩ reduce la pérdida de potencia y aumenta la eficiencia durante el funcionamiento, algo crucial para las aplicaciones sensibles a la energía.

¿Cómo debe montarse para un rendimiento óptimo?

El dispositivo presenta un encapsulado TO-220 y está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que facilita la gestión térmica en los diseños de circuitos.