MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Subtotal (1 tubo de 2000 unidades)*

1.280,00 €

(exc. IVA)

1.540,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 09 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
2000 +0,64 €1.280,00 €

*precio indicativo

Código RS:
262-6760
Nº ref. fabric.:
IRFIZ44NPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.036Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Dispone de una distancia entre el disipador y el cable de 4,8 mm. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Valor nominal de avalancha total

Aislamiento de alta tensión de 2,5 KVRMS

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.