MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4924
- Nº ref. fabric.:
- IRF5305PBF
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4924
- Nº ref. fabric.:
- IRF5305PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRF5305PBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia y ofrece flexibilidad y fiabilidad. Su funcionamiento en modo de mejora lo hace adecuado para diversos sistemas que requieren conmutación controlada, especialmente en entornos industriales y de automatización.
Características y ventajas
• La capacidad de corriente de drenaje continua de 31 A admite aplicaciones exigentes
• La tensión nominal de 55 V facilita una conmutación fiable
• La baja resistencia a la conexión de 60mΩ reduce la pérdida de potencia
• El diseño del encapsulado TO-220AB mejora el rendimiento térmico
• El rango de tensión de la fuente de puerta de ±20 V se adapta a diversas aplicaciones
• La rápida optimización de la conmutación aumenta la eficiencia global del sistema
Aplicaciones
• Se utiliza en sistemas de control de motores para un funcionamiento eficaz
• Aplicable en circuitos de alimentación para un rendimiento estable
• Integrado en dispositivos electrónicos que requieren una capacidad de conmutación eficaz
• Adecuado para su implantación en sistemas de energías renovables
¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento?
Funciona entre -55 °C y +175 °C, lo que la hace apta para condiciones extremas.
¿Cómo afecta el tipo de envase al rendimiento?
El encapsulado TO-220AB ofrece una baja resistencia térmica, lo que mejora la eficacia de la refrigeración durante el funcionamiento.
¿Puede soportar aplicaciones de corriente de drenaje pulsada?
Sí, admite corrientes de drenaje pulsadas de hasta 110 A, lo que garantiza un rendimiento adecuado para demandas transitorias.
¿Qué tipo de transistor es?
Se trata de un MOSFET de Si de canal P, optimizado para aplicaciones de alta eficiencia.
¿Es compatible con procesos de montaje automatizados?
Sí, el diseño de orificio pasante permite la integración en sistemas automatizados y placas de circuitos.
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