MOSFET Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 919-4924
Nº ref. fabric.:: IRF5305PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

50 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,974 €

(exc. IVA)

1,179 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,974 €	48,70 €
100 - 200	0,76 €	38,00 €
250 - 450	0,711 €	35,55 €
500 - 1200	0,663 €	33,15 €
1250 +	0,614 €	30,70 €
*precio indicativo

Código RS:: 919-4924
Nº ref. fabric.:: IRF5305PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MX

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	110 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	63 nC a 10 V
Ancho	4.69mm
Material del transistor	Si
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 919-4924
Nº ref. fabric.:: IRF5305PBF
Fabricante:: Infineon