MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
541-1736
Número de artículo Distrelec:
303-41-281
Nº ref. fabric.:
IRF5305PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.77mm

Longitud

10.54mm

Anchura

4.69 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRF5305PBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia y ofrece flexibilidad y fiabilidad. Su funcionamiento en modo de mejora lo hace adecuado para diversos sistemas que requieren conmutación controlada, especialmente en entornos industriales y de automatización.

Características y ventajas


• La capacidad de corriente de drenaje continua de 31 A admite aplicaciones exigentes

• La tensión nominal de 55 V facilita una conmutación fiable

• La baja resistencia a la conexión de 60mΩ reduce la pérdida de potencia

• El diseño del encapsulado TO-220AB mejora el rendimiento térmico

• El rango de tensión de la fuente de puerta de ±20 V se adapta a diversas aplicaciones

• La rápida optimización de la conmutación aumenta la eficiencia global del sistema

Aplicaciones


• Se utiliza en sistemas de control de motores para un funcionamiento eficaz

• Aplicable en circuitos de alimentación para un rendimiento estable

• Integrado en dispositivos electrónicos que requieren una capacidad de conmutación eficaz

• Adecuado para su implantación en sistemas de energías renovables

¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento?


Funciona entre -55 °C y +175 °C, lo que la hace apta para condiciones extremas.

¿Cómo afecta el tipo de envase al rendimiento?


El encapsulado TO-220AB ofrece una baja resistencia térmica, lo que mejora la eficacia de la refrigeración durante el funcionamiento.

¿Puede soportar aplicaciones de corriente de drenaje pulsada?


Sí, admite corrientes de drenaje pulsadas de hasta 110 A, lo que garantiza un rendimiento adecuado para demandas transitorias.

¿Qué tipo de transistor es?


Se trata de un MOSFET de Si de canal P, optimizado para aplicaciones de alta eficiencia.

¿Es compatible con procesos de montaje automatizados?


Sí, el diseño de orificio pasante permite la integración en sistemas automatizados y placas de circuitos.

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