MOSFET Infineon IRFZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4769
Nº ref. fabric.:: IRFZ44NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 919-4769
Nº ref. fabric.:: IRFZ44NPBF
Fabricante:: Infineon

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MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 49 A, disipación de potencia máxima de 94 W - IRFZ44NPBF

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Puede gestionar altos niveles de corriente con baja resistencia, mejorando la eficiencia de los circuitos electrónicos. Con tecnología HEXFET, el dispositivo ofrece mayor fiabilidad y eficacia en diversos entornos.

Características y ventajas

• Utiliza el modo de mejora para un control sensible
• Baja resistencia de 17,5mΩ para una gestión eficaz de la energía
• Velocidades de conmutación rápidas para mejorar el rendimiento del sistema

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores CC-CC
• Accionamientos y sistemas de control de motores
• Sistemas de energía renovable, como inversores solares

¿Qué impacto tiene la baja resistencia en el rendimiento?

La baja resistencia a la conexión de 17,5mΩ mejora la eficiencia al minimizar las pérdidas de energía durante el funcionamiento, lo que resulta ventajoso en circuitos de alta corriente.

¿Cómo afecta la temperatura a la corriente continua de drenaje?

La corriente de drenaje continua es de 49 A a 25 °C y disminuye a 35 A a 100 °C, lo que garantiza un uso seguro en distintos entornos.

¿Puede este componente soportar condiciones de avalancha repetitivas?

Sí, está diseñado para soportar condiciones de avalancha repetitivas con una clasificación de corriente de avalancha de hasta 25 A y una energía de avalancha de 9,4 mJ, lo que proporciona una durabilidad adicional.

¿Qué tipo de aplicaciones se benefician más del uso de este MOSFET?

Este componente es especialmente útil en aplicaciones de alta potencia, como controles de automatización industrial y sistemas de automoción que requieren una conversión eficiente de la energía.

¿Es compatible con los diseños de PCB estándar?

Sí, su encapsulado TO-220AB se utiliza ampliamente en diversos diseños de placas de circuito impreso, lo que permite una integración sencilla en los diseños existentes.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	49 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	17,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	63 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C