MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-262

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Código RS:
258-3987
Nº ref. fabric.:
IRFZ44NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

49A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-262

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon de International Rectifier proporciona técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de sílice. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el dispositivo robusto diseñado por los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

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